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硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽 該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)