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產(chǎn)品分類3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器:材料:InGaAs 上升/下降時間:<25ps/<25ps; 響應(yīng)度:0.65A/W@1300nm; 帶寬:>15GHz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 光纖連接 FC/UPC,SMF28e
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器:材料:InGaAs 上升/下降時間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,FC/UPC
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC
美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降時間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC