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3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。波長(zhǎng)分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。

光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測(cè)性能最佳，是一款特別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶(hù)，可以防止不必要的干擾影響和污染。

1-16μm 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。

1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。