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產(chǎn)品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器
紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器
產(chǎn)品簡介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材,電子 |
PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm
● 采用兩級TE冷卻有效提高探測效率
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現(xiàn)光學浸沒，提升探測器的性能
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數(shù)值 |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學區(qū)域面積AO；mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 3.2±0.30 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
● 醫(yī)學熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測
● 中紅外激光探測
參數(shù) | 探測器型號 | |
PVIA-2TE-3 | PVIA-2TE-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結構 | 外延InAsSb異質(zhì)結構 |
起始波長λcut-on (10%), μm | 2.1±0.2 | 2.4±0.2 |
峰值波長λpeak（μm） | 2.9±0.3 | 4.7±0.3 |
截止波長λcut-off (10%), μm | 3.4±0.2 | 5.5±0.2 |
相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥5×1011 | ≥4×1010 |
電流響應度Ri(λpeak),A/W | ≥1.3 | ≥1.5 |
時間常數(shù)T，ns | ≤15 | ≤5 |
電阻R,Ω | ≥200K | ≥1K |
元件工作溫度Tdet,K | ~230 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO8 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | wAl2O3 | |
探測器光譜響應特性曲線
熱敏電阻特性曲線
兩級TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~230 |
Vmax , V | 1.3 |
Imax , A | 1.2 |
Qmax , W | 0.36 |
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線
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