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產(chǎn)品中心
光學無源器件
晶體/棱鏡/窗片
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產(chǎn)品分類UV拋光熔融二氧化硅(SiO2)石英玻璃窗口片 0.18-2.2um (38.0X24.0X1.0mm矩形窗片) (晶體/棱鏡/窗片) 產(chǎn)品總覽 熔融石英是一種硬的,耐高溫的純玻璃。 熔融石英用于UV和VIS光譜組件。 IR級的熔融石英可很好應用于NIR波段。
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成),其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質(zhì)不重要。
IR拋光CZ級(Si)硅窗片 AR/AR增透膜 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片) 光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成),其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質(zhì)不重要。
IR拋光CZ級(Si)硅窗片 矩形 N-type 摻雜 1.2-15um (50mm x 50mm x 10mm 用于中子反射窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 產(chǎn)品總覽 光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成),其在9μm具有Si-O吸
IR級拋光氟化鍶窗片 0.15-11um (10.0X1.0mm圓形SrF2窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 氟化鍶(SrF2)通過真空Stockbarger生長技術(shù)生產(chǎn),只有專業(yè)方面的應用。 光學上,SrF2具有介于鈣和BaF2之間的性質(zhì)。 通常,窗口片符合紅外使用條件,但可以在大部分紫外線光譜范圍內(nèi)提供良好的性能。為了保證穿過 UV(和 VUV)的傳輸,型號以U結(jié)尾