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當前位置：首頁產(chǎn)品中心半導體連續(xù)激光器 VCSEL激光器VCSEL-795-0.13795 nm , VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器

795 nm , VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器

產(chǎn)品簡介

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值典型值最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm

產(chǎn)品型號：VCSEL-795-0.13

更新時間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：2450

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

半導體連續(xù)激光器

PCSEL 激光器 DBR激光器 ICL激光器 DFB激光器 QCL激光器 VCSEL激光器 FP激光器

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400-828-1550

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詳細介紹在線留言

品牌	其他品牌	價格區(qū)間	面議
組成要素	半導體激光器產(chǎn)品及設備	產(chǎn)地類別	進口
應用領域	化工,建材,電子

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個圓形出口，輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

技術參數(shù)

應用

原子鐘

磁力計

特點:

包裝: 裸片

芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器

激光波長: 795 nm

輻射剖面: 單模

ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

最大額定值

Ta = 80°C

參數(shù)	符號		值
操作/焊接溫度 DC = 100%	TS	最小值最大值	-20°C 110°C
儲存溫度	Tstg	最小值最大值	-40°C 125°C
正向電流（保持單模）直流操作; DC = 100%; TS = 75°C	If	最大值	1.5 mA
正向電流直流操作; DC = 100%; TS = 75°C	If	最大值	3mA
反向電壓	不適合反向操作
ESD耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)	VESD	最大值	250 V

注意:超出絕對最大額定值范圍的應力可能會對設備造成損壞。

特點

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3

參數(shù)	符號		值
正向電流	VF	典型值	1.8 V
輸出功率	Φ	典型值	0.13 mW
閾值電流	Ith	典型值	0.75 mA
斜率效能	SE	典型值	0.21 W / A
單模抑制比	SMSR	最小值	20 dB
偏振消光比5)	PER	最小值	15 dB
峰值波長	λpeak-v	最小值典型值最大值	794.5 nm 795 nm 795.5 nm
光譜線寬度	Λlinewidth	最大值	100 MHz
調(diào)頻調(diào)制帶寬	Fm	最小值	3.4 GHz
波長溫度系數(shù)	TCλ	典型值	0.055 nm / K
半峰全寬處視場(50% of Φmax)	φx φY	典型值典型值	12° 12°
1/e2處視場	φx φY	典型值典型值	20° 20°

注意:波長,輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。

相對光譜發(fā)射 1)

輻射特征 1)

正向電流 1) 2)

光輸出功率 1) 2)

尺寸圖 3)

產(chǎn)品標簽

搜狗截圖20210916132030.png

包裝

注意事項

根據(jù)操作模式的不同，這些設備發(fā)射出高度集中的可見光和非可見光，這可能對人眼有害。包含這些設備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預防措施。

除其他物質(zhì)外，該裝置的子組件還含有金屬填充材料，包括銀。金屬填充材料可能會受到含有侵略性

物質(zhì)的環(huán)境影響。因此，我們建議客戶在存儲、生產(chǎn)和使用過程中盡量減少設備接觸腐蝕性物質(zhì)。當

使用上述試驗進行試驗時，顯示出可見變色的裝置在規(guī)定的試驗持續(xù)時間內(nèi)未顯示出故障限值范圍內(nèi)

的性能偏差。

IEC60810中描述了相應的故障限值。

術語

1) 典型值：由于半導體器件制造工藝的特殊條件，技術參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計算關聯(lián)只能反映統(tǒng)計數(shù)字。這些不一定對應于每個產(chǎn)品的實際參數(shù)，這些參數(shù)可能不同于典型值和計算相關或典型特征線。由于技術改進，這些典型值數(shù)據(jù)將被更改，恕不另行通知。

2) 測試溫度: TA = 85°C ± 2°C

3) 尺寸公差:除非圖紙中另有說明，公差以±0.1規(guī)定，尺寸以mm規(guī)定。

4) 波長:連續(xù)波長測量，分辨率±0.1 nm。

5) 偏振: 在安裝或封裝引起的模具應力條件下，偏振消光比會降低。

訂購信息

描述	工作模式	訂購代碼
Group 1 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20	Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm	V00145 Group: 1
Group 2 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20	Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm	V00145 Group: 2
Group 3 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20	Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm	V00145 Group: 3
Group 4 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20	Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm	V00145 Group: 4
Group 5 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20	Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm	V00145 Group: 5